參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

厚度檢測(cè)：范圍0.1nm~100μm，精度±0.1nm（橢偏儀法）

載流子濃度：1e14~1e20 cm?3（霍爾效應(yīng)測(cè)試）

遷移率：100~10000 cm2/(V·s)（變溫霍爾測(cè)試）

表面粗糙度：Ra值0.1nm~10nm（原子力顯微鏡）

缺陷密度：1e2~1e6 cm?2（光致發(fā)光成像）

檢測(cè)范圍

單晶硅片（拋光片,、外延片）

化合物半導(dǎo)體（GaAs,、InP、GaN）

薄膜材料（SiO?,、SiN,、Al?O?）

光電器件（LED、激光二極管）

功率器件（IGBT,、MOSFET）

檢測(cè)方法

厚度檢測(cè)：ASTM F2459（橢偏儀法）,、GB/T 32281-2015

載流子濃度：ASTM F76、GB/T 1550-2018

遷移率：ASTM F76,、ISO 14707:2020

表面粗糙度：ISO 25178-2:2022,、GB/T 29505-2013

缺陷分析：SEMI MF1812（PL成像）、GB/T 38976-2020（X射線衍射）

檢測(cè)設(shè)備

橢圓偏振儀：J.A. Woollam M-2000,，支持寬光譜（190-1700nm）多層膜分析

霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)：Lake Shore 8404,，溫區(qū)10K~400K，磁場(chǎng)強(qiáng)度2T

原子力顯微鏡：Bruker Dimension Icon,，分辨率0.1nm（Z軸）

光致發(fā)光成像系統(tǒng)：Hamamatsu C12132,，光譜范圍300-1700nm

X射線衍射儀：PANalytical X'Pert3 MRD，角度重復(fù)性±0.0001°

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱(chēng)：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)