參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個人除外),。

檢測項目

1.薄膜厚度測量：精度0.1nm（納米級），采用橢偏儀或X射線反射法,。

2.載流子濃度與遷移率：霍爾效應(yīng)測試（范圍1E14~1E20cm?）,，誤差≤5%,。

3.表面粗糙度分析：原子力顯微鏡（AFM）掃描,，分辨率0.1nmRMS。

4.界面缺陷密度：深能級瞬態(tài)譜（DLTS）檢測,，靈敏度≥1E10cm?,。

5.化學(xué)成分與摻雜分布：二次離子質(zhì)譜（SIMS）分析，探測限≤1E15atoms/cm,。

檢測范圍

1.硅基外延層（Si/SiGe）：厚度50nm~10μm,。

2.III-V族化合物半導(dǎo)體（GaAs、InP）：異質(zhì)結(jié)界面特性,。

3.二維材料層（石墨烯,、MoS?）：單層至多層結(jié)構(gòu)表征。

4.光刻膠與介質(zhì)層（SiO?,、Si?N?）：膜厚均勻性及應(yīng)力測試,。

5.金屬互連層（Cu/Al）：臺階覆蓋率與晶格缺陷檢測。

檢測方法

1.ASTMF1529：橢偏儀測量薄膜厚度與光學(xué)常數(shù),。

2.ISO14645：四探針法測定薄層電阻與方阻值,。

3.GB/T35097-2018：原子力顯微鏡表面形貌分析規(guī)范。

4.JESD22-A110F：半導(dǎo)體器件濕熱偏壓可靠性測試,。

5.IEC60749-25：高溫存儲壽命試驗（150℃/1000h）,。

檢測設(shè)備

1.J.A.WoollamM-2000橢偏儀：支持190~1700nm光譜范圍，膜厚分辨率0.01nm,。

2.KEITHLEY4200-SCS參數(shù)分析儀：集成IV/CV/脈沖測試模塊,，電流靈敏度0.1fA。

3.BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡：峰值力輕敲模式,，Z軸噪聲＜0.05nm,。

4.PHINanoTOFII二次離子質(zhì)譜儀：質(zhì)量分辨率＞30,000，深度剖析速率10nm/s,。

5.ThermoFisherScios2DualBeamFIB-SEM：離子束切割精度5nm,，EDS元素面分布分析

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測,。

非標測試：支持定制化試驗方案,。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)