高硅錫渣檢測(cè)摘要:高硅錫渣是冶金及電子工業(yè)中常見的含硅錫基廢料,,其成分分析對(duì)資源回收和環(huán)保管控至關(guān)重要,。本文圍繞硅含量測(cè)定,、雜質(zhì)元素分析等核心項(xiàng)目展開,,依據(jù)ASTM,、ISO及國(guó)標(biāo)方法規(guī)范檢測(cè)流程,,涵蓋XRF,、ICP-OES等精密設(shè)備的應(yīng)用場(chǎng)景與參數(shù)要求,。
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。
1. 硅含量測(cè)定:采用差減法計(jì)算SiO?含量(范圍15%-45%)
2. 錫主量分析:測(cè)定Sn含量(基準(zhǔn)值≥50%±0.5%)
3. 雜質(zhì)元素檢測(cè):Pb(≤0.1%),、Cu(≤0.05%)、As(≤50ppm)
4. 氧含量測(cè)試:惰性氣體熔融法測(cè)定總氧量(0.5%-3.0%)
5. 物理特性檢驗(yàn):密度(6.5-7.5g/cm3)、熔點(diǎn)區(qū)間(220-250℃)
1. 電子焊接工序產(chǎn)生的含錫廢渣
2. 冶金精煉過(guò)程分離的高硅浮渣
3. 金屬回收料中的混合錫基殘?jiān)?/p>
4. 合金鑄造行業(yè)廢棄的硅錫復(fù)合渣
5. 半導(dǎo)體晶圓加工產(chǎn)生的含錫研磨廢料
ASTM E1621-22:X射線熒光光譜法測(cè)定金屬基體元素
ISO 9507:2020 電感耦合等離子體發(fā)射光譜法多元素分析
GB/T 223.5-2008 鋼鐵及合金化學(xué)分析方法還原型硅鉬酸鹽光度法測(cè)硅
GB/T 5121.27-2019 銅及銅合金化學(xué)分析方法第27部分:錫量的測(cè)定
ISO 15351:2016 惰性氣體熔融法測(cè)定金屬材料中氧含量
Thermo Scientific ARL QUANT'X X射線熒光光譜儀:用于主量元素快速定量分析
PerkinElmer Optima 8300 ICP-OES:痕量雜質(zhì)元素ppm級(jí)檢測(cè)
LECO ONH836氧氮?dú)浞治鰞x:惰性氣體熔融法測(cè)定氧含量
Mettler Toledo XP205電子天平:稱量精度0.01mg的精密稱樣
NETZSCH STA 449F3同步熱分析儀:測(cè)定熔點(diǎn)與熱穩(wěn)定性參數(shù)
Malvern Mastersizer 3000激光粒度儀:廢渣顆粒分布特征分析
Sartorius MA37水分測(cè)定儀:105℃恒重法測(cè)游離水分含量
Bruker D8 ADVANCE X射線衍射儀:物相組成與晶體結(jié)構(gòu)鑒定
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。
檢測(cè)周期:7~15工作日,,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,,工程師1v1服務(wù),。
中析高硅錫渣檢測(cè) - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,,如需咨詢?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,,請(qǐng)咨詢?cè)诰€工程師
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