參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

位錯誤率（BER）：測量單位時間內(nèi)錯誤比特占比,，閾值≤1E-12

存儲單元均勻性：掃描分析單元尺寸偏差,，允許波動范圍±3%

信號噪聲比（SNR）：量化有效信號與背景噪聲強度比，基準值≥30dB

寫入/擦除耐久度：循環(huán)測試次數(shù)≥1E6次后性能衰減≤5%

熱穩(wěn)定性：高溫85℃環(huán)境下保持時間≥1000小時無數(shù)據(jù)丟失

檢測范圍

半導體晶圓：12英寸硅基晶圓及III-V族化合物晶圓

磁性存儲介質(zhì)：垂直磁記錄硬盤,、磁光混合存儲薄膜

光存儲介質(zhì)：藍光光盤,、全息存儲玻璃基板

集成電路芯片：3D NAND閃存芯片、MRAM存儲器

量子比特器件：超導量子芯片拓撲結構表面分析

檢測方法

ASTM F1241-22：半導體存儲器單元電學特性測試規(guī)范

ISO/IEC 29112:2020：光存儲介質(zhì)位密度驗證方法

GB/T 26248-2021：磁記錄介質(zhì)物理性能測試通則

IEC 62679-3-1：柔性電子器件存儲特性評估標準

GB/T 36450.4-2018：閃存芯片可靠性試驗方法

檢測設備

Keysight B1500A半導體分析儀：支持pA級電流精度測量與高頻信號響應分析

Veeco Dimension Icon原子力顯微鏡：實現(xiàn)5nm空間分辨率表面形貌掃描

Oxford Instruments NanoAnalysis EDS：執(zhí)行元素分布與晶體結構同步表征

Advantest T2000測試系統(tǒng)：完成128通道并行存儲器功能驗證

Agilent N9020B信號分析儀：支持40GHz帶寬信號完整性測試

Thermo Fisher Helios G4 UXe雙束電鏡：提供亞納米級截面制備與成像能力

Bruker Dimension XR掃描探針平臺：實現(xiàn)磁疇結構與電學特性原位關聯(lián)分析

Anritsu MP1900A誤碼率測試儀：支持28Gbps高速信號BER測量

Cascade Summit 12000探針臺：滿足300mm晶圓全自動參數(shù)測試需求

Hitachi HF5000透射電鏡：執(zhí)行原子級存儲界面缺陷觀測與分析

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期：7~15工作日,，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測,。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查,，工程師1v1服務,。

中析儀器 資質(zhì)