解理臺(tái)階檢測(cè)摘要:解理臺(tái)階檢測(cè)是評(píng)估材料斷裂面微觀形貌特征的關(guān)鍵技術(shù),,通過(guò)定量分析臺(tái)階高度,、密度及分布規(guī)律,,為材料力學(xué)性能研究和失效分析提供數(shù)據(jù)支持,。檢測(cè)需結(jié)合高精度顯微成像與三維形貌重建技術(shù),重點(diǎn)關(guān)注臺(tái)階幾何參數(shù),、界面結(jié)合狀態(tài)及缺陷關(guān)聯(lián)性,。
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1.臺(tái)階高度測(cè)量:分辨率0.1nm~10μm,,測(cè)量范圍0.5nm~200μm
2.臺(tái)階密度統(tǒng)計(jì):?jiǎn)挝幻娣e內(nèi)臺(tái)階數(shù)量(個(gè)/mm)
3.分布均勻性分析:基于分形維數(shù)(D=1.0~2.0)和空間自相關(guān)函數(shù)
4.界面角度測(cè)定:精度0.1,,測(cè)量范圍0~180
5.微區(qū)成分分析:EDS能譜分辨率≤129eV,元素檢測(cè)范圍B-U
1.金屬合金:鈦合金TC4/TA15,、鋁合金7075/2024的疲勞斷口
2.單晶硅片:<100>/<111>晶向解理面
3.陶瓷材料:Al?O?/ZrO?燒結(jié)體斷裂面
4.半導(dǎo)體器件:GaAs/InP芯片裂片斷面
5.復(fù)合材料:C/C-SiC剎車片分層界面
1.ASTME3-11金屬材料金相樣品制備標(biāo)準(zhǔn)
2.ISO14606:2015表面化學(xué)分析-掃描探針顯微鏡數(shù)據(jù)報(bào)告規(guī)范
3.GB/T3505-2009產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法術(shù)語(yǔ)定義
4.GB/T23414-2009微束分析掃描電子顯微術(shù)術(shù)語(yǔ)
5.ISO25178-2:2022產(chǎn)品幾何量技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)區(qū)域法
1.蔡司Sigma500場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡:分辨率0.8nm@15kV,,配備BrukereFlashHREBSD系統(tǒng)
2.BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡:Z軸分辨率0.05nm,最大掃描范圍90μm90μm
3.KeyenceVK-X3000激光共聚焦顯微鏡:405nm激光光源,,垂直分辨率1nm
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探測(cè)器:采集速度4000點(diǎn)/秒,,角度分辨率0.1
5.ThermoScientificPrismaEDS能譜儀:30mm硅漂移探測(cè)器,元素檢出限0.1wt%
6.AliconaInfiniteFocusG5光學(xué)3D測(cè)量?jī)x:垂直分辨率10nm,,最大放大率500
7.HitachiRegulus8230冷場(chǎng)發(fā)射電鏡:加速電壓0.5-30kV,,束流穩(wěn)定性≤0.4%/h
8.ParkSystemsNX20原子力顯微鏡:非接觸模式分辨率0.1nm,最大掃描范圍100μm100μm
9.LeicaDCM8共聚焦顯微鏡:白光干涉模式垂直重復(fù)性1nm
10.JEOLJSM-7900FSchottky場(chǎng)發(fā)射電鏡:低電壓分辨率1nm@1kV
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。
檢測(cè)周期:7~15工作日,,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,,工程師1v1服務(wù),。
中析解理臺(tái)階檢測(cè) - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,,如需咨詢?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,,請(qǐng)咨詢?cè)诰€工程師
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