參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日,，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外),。

檢測項目

1.表面濺射率測定：測量范圍0.1-10nm/min,，精度5%

2.離子能量分布分析：能量分辨率≤0.5eV@1keV

3.元素深度剖面測試：探測深度0-10μm，深度分辨率3nm

4.界面擴散系數(shù)計算：溫度范圍20-800℃,，誤差0.05eV

5.晶格損傷評估：缺陷密度檢測限110?cm?

檢測范圍

1.半導體材料：硅基芯片的柵極氧化層厚度與界面態(tài)密度分析

2.金屬鍍層：航空鈦合金表面AlCrN涂層的元素梯度分布測定

3.光學薄膜：ITO導電膜中In/Sn原子比及氧空位濃度檢測

4.高分子材料：醫(yī)用聚醚醚酮表面改性層的化學態(tài)演變研究

5.陶瓷材料：氮化硅基板表面金屬化層的結(jié)合強度評估

檢測方法

1.ASTME1127-20：二次離子質(zhì)譜法測定濺射產(chǎn)額標準規(guī)程

2.ISO18118-1:2022：表面化學分析-俄歇電子能譜定量方法

3.GB/T17359-2023：微束分析-電子探針顯微分析通則

4.ASTMF1710-08(2020)：離子束濺射深度剖析標準指南

5.GB/T35033-2018：納米薄膜厚度測量方法（輝光放電質(zhì)譜法）

檢測設(shè)備

1.PHI700Xi型飛行時間二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS）：實現(xiàn)三維成分成像與分子結(jié)構(gòu)解析

2.ThermoScientificNexsaG2X射線光電子能譜儀（XPS）：化學態(tài)分析結(jié)合Ar+濺射深度剖析

3.CamecaIMS7f-auto磁式二次離子質(zhì)譜儀：ppb級痕量元素深度分布測量

4.OxfordInstrumentsINCAx-actSDD能譜儀（EDS）：配合FIB實現(xiàn)微區(qū)成分分析

5.HitachiIM4000Plus氬離子拋光儀：制備無損傷截面樣品

6.KratosAXISSupra+成像XPS系統(tǒng)：空間分辨率<3μm的化學態(tài)分布表征

7.JEOLJIB-4700F聚焦離子束系統(tǒng)（FIB）：納米級定位截面制備與TEM樣品加工

8.BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡（AFM）：表面形貌與電學特性同步測量

9.SPECSPHOIBOS150半球型能量分析器：高分辨俄歇電子能譜采集

10.Ulvac-PHIVersaProbeIV掃描XPS微探針：10μm空間分辨的深度剖析能力

北京中科光析科學技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案,。

售后：報告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)