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絕緣體硅片檢測

2025-05-27 關鍵詞：絕緣體硅片測試標準,絕緣體硅片測試周期,絕緣體硅片項目報價 相關：
絕緣體硅片檢測

絕緣體硅片檢測摘要：檢測項目1.電阻率：測量范圍0.01-1000Ωcm,，精度1%2.厚度均勻性：公差0.5μm（200mm晶圓）3.表面粗糙度：Ra≤0.3nm（AFM測量）4.氧含量：FTIR法測定8-18ppma5.介電強度：擊穿電壓≥10kV/mm檢測范圍1.單晶硅片（CZ/FZ法生長）2.多晶硅太陽能基板3.SOI（Silicon-On-Insulator）結構層4.摻雜硅片（硼/磷/砷摻雜）5.絕緣涂層硅片（SiO?/Si?N?復合層）檢測方法1.ASTMF723：四探針法電阻率測試2.ISO14707：輝光放電

參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日,，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人除外),。

檢測項目

1.電阻率：測量范圍0.01-1000Ωcm,，精度1%
2.厚度均勻性：公差0.5μm（200mm晶圓）
3.表面粗糙度：Ra≤0.3nm（AFM測量）
4.氧含量：FTIR法測定8-18ppma
5.介電強度：擊穿電壓≥10kV/mm

檢測范圍

1.單晶硅片（CZ/FZ法生長）
2.多晶硅太陽能基板
3.SOI（Silicon-On-Insulator）結構層
4.摻雜硅片（硼/磷/砷摻雜）
5.絕緣涂層硅片（SiO?/Si?N?復合層）

檢測方法

1.ASTMF723：四探針法電阻率測試
2.ISO14707：輝光放電質譜元素分析
3.GB/T6618：非接觸式厚度測量規(guī)范
4.JISH0609：X射線熒光膜厚測定
5.SEMIMF1530：自動缺陷檢測系統(tǒng)校準

檢測設備

1.MMRTechnologiesK-450：四探針電阻率測試儀（0.001-10000Ωcm）
2.BrukerDektakXT：觸針式輪廓儀（垂直分辨率0.1nm）
3.ThermoScientificNicoletiS50：傅里葉紅外光譜儀（400-7800cm?）
4.KLASurfscanSP3：無圖形晶圓缺陷檢測系統(tǒng)（靈敏度50nm）
5.Agilent4294A：精密阻抗分析儀（40Hz-110MHz）
6.HitachiSU5000：場發(fā)射掃描電鏡（1nm分辨率）
7.OxfordInstrumentsPlasmaPro100：GD-OES元素深度分析儀
8.LeicaDM8000M：金相顯微鏡（1500倍光學放大）
9.KeysightB1505A：功率器件分析儀（3000V/1500A）
10.VeecoDimensionIcon：原子力顯微鏡（0.1nmZ軸分辨率）

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質版),。

檢測周期：7~15工作日,，可加急。

資質：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質報告,。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測,。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查,，工程師1v1服務,。

中析儀器 資質

中析絕緣體硅片檢測 - 由于篇幅有限，僅展示部分項目,，如需咨詢詳細檢測項目,，請咨詢在線工程師

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