參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日,，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外),。

　　檢測項目：半導(dǎo)體材料測試

　　檢測周期：7-15個工作日出具測試報告,。

　　檢測費用：樣品初檢后結(jié)合客戶檢測需求以及實驗復(fù)雜程度進行報價。

　　北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所,，可為您出具低維半導(dǎo)體材料,、寬帶隙半導(dǎo)體材料等各種半導(dǎo)體材料測試報告。我所是正規(guī)的科研測試機構(gòu),，始終以科學(xué)研究為首任,，以客戶為中心，在嚴(yán)格的程序下開展檢測工作,，為客戶提供產(chǎn)品檢測及質(zhì)量控制的解決方案,， 竭誠為廣大客戶提供科學(xué)的檢驗檢測、研發(fā)分析服務(wù),。

檢測范圍

　　元素半導(dǎo)體,、無機化合物半導(dǎo)體、有機化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體等,。

檢測標(biāo)準(zhǔn)列舉

　　CECC 50 002- 101 ISSUE 3-1985 半導(dǎo)體材料 硅制 2N2221型;極性:負極-正極-負極2N2221A型,封裝材料:2N2222金屬型,接頭包裝:2N2222A集流器

　　CECC 50 002- 103 ISSUE 3-1985 半導(dǎo)體材料 硅制 2N2906型;極性:負極-正極-負極2N2906A型,封裝材料:2N2907金屬型,接頭包裝:2N2907A集流器

　　DIN 50431-1988 無機半導(dǎo)體材料的檢驗; 用直線配置的四探針直流法測定硅和鍺單晶體的比電阻

　　DIN 50433-1-1976 無機半導(dǎo)體材料的檢驗; 用X 射線測向儀測定單晶體取向

　　DIN 50433-2-1976 無機半導(dǎo)體材料的檢驗; 用反射光影法測定單晶體取向

　　DIN 50433-3-1982 半導(dǎo)體材料的檢驗; 用勞埃反射法測定單晶體取向

　　DIN 50434-1986 半導(dǎo)體材料的檢驗; 單晶硅試樣的(111) 和(100) 蝕面上晶體結(jié)構(gòu)缺陷的測定

　　DIN 50435-1988 無機半導(dǎo)體材料的檢驗; 四探針直流法測定硅或鍺片的比電阻徑向變化

　　DIN 50437-1979 無機半導(dǎo)體材料的檢驗; 用紅外線干涉法測量硅外延生長層的的厚度

　　DIN 50438-1-1995 無機半導(dǎo)體材料的檢驗;用紅外吸收法測定硅中雜質(zhì)含量:第1部分:氧

　　DIN 50439-1982 半導(dǎo)體工藝材料的檢驗; 用電容--電壓法和水銀接點確定晶朊半導(dǎo)體材料中摻雜物的斷面

　　DIN 50440-1998 半導(dǎo)體材料檢驗.用光導(dǎo)衰減法測定硅單晶復(fù)合載流子壽命;在桿上試件上測量

　　DIN 50441-1-1996 無機半導(dǎo)體材料的檢驗;半導(dǎo)體片幾何尺寸的測量;第1部分:厚度和厚度變化

　　DIN 50441-2-1998 半導(dǎo)體材料的檢驗;半導(dǎo)體片幾何尺寸的測量.第2部分:倒棱的檢驗

　　DIN 50445-1992 半導(dǎo)體材料檢驗.電阻測量

　　DIN 50446-1995 半導(dǎo)體材料的檢驗.硅外延層的缺陷類型和缺陷密度的測定

　　DIN 50452-1-1995 半導(dǎo)體材料的檢驗.液體中粒子的分析方法.第1部分:顯微鏡測定粒子

　　GB/T 1550-2018 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

　　GB/T 1550-2018 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

半導(dǎo)體材料測試流程

　　1,、寄樣：和工程師聯(lián)系咨詢 并郵寄樣品(支持上門取樣)

　　2、初檢：對樣品進行初檢,，結(jié)合客戶需求確定具體檢測項目

　　3,、報價：根據(jù)檢測的復(fù)雜程度進行報價

　　4,、雙方確定--簽訂保密協(xié)議，開始實驗

　　5,、完成實驗

　　6,、寄送報告：有完善的售后服務(wù)，可隨時咨詢

　　以上是關(guān)于半導(dǎo)體材料測試相關(guān)介紹,周期,、方法,、步驟以工程師為準(zhǔn)，如樣品特殊可與工程師交流溝通樣品特性,，為您設(shè)計合理的檢測分析方案,，節(jié)約您的時間。

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