參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

熔區(qū)移動(dòng)速率檢測(cè)技術(shù)研究報(bào)告

檢測(cè)項(xiàng)目

熔區(qū)移動(dòng)速率檢測(cè)主要針對(duì)材料加工過(guò)程中的熔融區(qū)域動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行量化分析，核心檢測(cè)指標(biāo)包括：

熔池遷移速度：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)熔融區(qū)域質(zhì)心的位移量

固液界面推進(jìn)速率：凝固前沿的瞬時(shí)運(yùn)動(dòng)速度

熱影響區(qū)擴(kuò)展速率：溫度梯度區(qū)域的平均擴(kuò)展速度

熔體波動(dòng)頻率：液態(tài)區(qū)域表面振蕩的周期性特征

典型應(yīng)用場(chǎng)景涵蓋激光焊接,、電子束熔煉,、晶體生長(zhǎng)等先進(jìn)制造工藝，在航空航天發(fā)動(dòng)機(jī)葉片修復(fù),、半導(dǎo)體單晶硅制備等領(lǐng)域具有重要工程價(jià)值,。

檢測(cè)范圍

材料類型

金屬合金：鈦合金、鎳基高溫合金,、鋁合金等

半導(dǎo)體材料：?jiǎn)尉Ч?、GaAs、SiC等

陶瓷基復(fù)合材料：碳化硅陶瓷,、氧化鋁基復(fù)合材料

工藝參數(shù)

特殊工況檢測(cè)能力包括：真空環(huán)境（10

-3

2

檢測(cè)方法

1. 激光掃描法

采用532nm半導(dǎo)體激光器配合高速振鏡系統(tǒng),，掃描頻率可達(dá)200kHz。通過(guò)分析熔池表面反射光斑的畸變特征,，計(jì)算熔區(qū)邊界位移量,。

2. 熱成像法

使用中波紅外熱像儀（3-5μm波段）采集熱輻射信號(hào)，空間分辨率達(dá)25μm/pixel,?；跍囟葓?chǎng)梯度變化建立熔區(qū)運(yùn)動(dòng)模型。

3. 高速攝像法

配置100000fps高速攝像機(jī)與窄帶濾光片（中心波長(zhǎng)808nm）,，結(jié)合數(shù)字圖像相關(guān)（DIC）算法實(shí)現(xiàn)熔區(qū)輪廓追蹤,。

4. 電阻法

在試樣表面布置微電極陣列，通過(guò)測(cè)量熔區(qū)移動(dòng)導(dǎo)致的電阻突變信號(hào),，時(shí)間分辨率可達(dá)1μs,。

5. X射線衍射法

采用同步輻射光源（能量20-100keV），通過(guò)分析布拉格衍射斑點(diǎn)的動(dòng)態(tài)變化,，解析熔區(qū)微觀結(jié)構(gòu)演變過(guò)程,。

檢測(cè)儀器

LSM-3000型激光掃描測(cè)量系統(tǒng)

掃描頻率：200-500kHz可調(diào)

位移分辨率：0.1μm

適用溫度：300-2500K

IR-TS800紅外熱像儀

探測(cè)器類型：InSb 640×512

熱靈敏度：＜15mK@30℃

光譜響應(yīng)：3.0-5.1μm

HSC-X1000高速攝像系統(tǒng)

最高幀率：1,000,000fps

像素分辨率：256×256@全幀速

光學(xué)放大倍數(shù)：5-200X連續(xù)可調(diào)

輔助設(shè)備包含：高穩(wěn)定性光學(xué)平臺(tái)（隔振等級(jí)Class10）、多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（采樣率1MHz）,、專用分析軟件（含機(jī)器學(xué)習(xí)算法模塊）等,。

中析儀器 資質(zhì)