參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

反向擊穿電壓（VRRM）：測(cè)試范圍1000-10kV,，誤差≤±0.5%

正向?qū)娏鳎↖F(AV)）：額定值50-5000A，浪涌電流測(cè)試達(dá)10倍額定值

熱阻特性（Rth(j-c)）：結(jié)殼熱阻測(cè)量精度±3%,，溫度循環(huán)測(cè)試-55℃~175℃

開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)：包括反向恢復(fù)時(shí)間（trr）10ns-10μs,，開(kāi)通延遲時(shí)間（td(on)）精度±5ns

絕緣耐壓性能：AC 3kV/60s介質(zhì)耐壓，絕緣電阻≥100MΩ@DC 1000V

檢測(cè)范圍

硅基高壓整流器（3kV~10kV級(jí)）

碳化硅(SiC)整流模塊（適用于高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景）

高頻快恢復(fù)二極管（trr≤50ns）

橋式整流堆（三相/單相拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)）

可控硅整流器（SCR/IGCT類器件）

檢測(cè)方法

ASTM D1868-2021：反向擊穿電壓脈沖測(cè)試法（10μs脈沖寬度）

IEC 60747-5:2022：正向特性曲線掃描（0.1V步進(jìn)精度）

JEDEC JESD51-14：瞬態(tài)雙界面法熱阻測(cè)量（結(jié)溫監(jiān)測(cè)±1℃）

IEC 60747-1:2023：開(kāi)關(guān)特性雙脈沖測(cè)試（di/dt≥1000A/μs）

ISO 16467:2020：絕緣性能復(fù)合電壓試驗(yàn)（疊加直流與高頻紋波）

檢測(cè)設(shè)備

Keysight B1505A功率器件分析儀：支持10kV/1500A動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

Fluke 435-II電能質(zhì)量分析儀：實(shí)現(xiàn)μs級(jí)瞬態(tài)波形捕獲

Thermo Scientific TMX 750紅外熱像儀：空間分辨率0.65mrad,，熱靈敏度0.03℃

Chroma 19032耐壓測(cè)試儀：輸出精度±(1%讀數(shù)+0.2%量程)

Tektronix DPO7354C示波器：4GHz帶寬,，40GS/s采樣率

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

CNAS L6543、CMA 2019187456資質(zhì),，檢測(cè)報(bào)告國(guó)際互認(rèn)

具備IECEE CBTL認(rèn)證,，覆蓋GB/T 15291-2018等28項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)

15人專家團(tuán)隊(duì)含3名IEEE高級(jí)會(huì)員，年均完成1500+檢測(cè)案例

設(shè)備校準(zhǔn)溯源至NIST,，符合ISO/IEC 17025:2017要求

搭建行業(yè)首個(gè)10kV級(jí)SiC器件全參數(shù)測(cè)試平臺(tái)

中析儀器 資質(zhì)