平移晶格檢測(cè)摘要:平移晶格檢測(cè)是分析材料內(nèi)部原子排列規(guī)律性的關(guān)鍵技術(shù),,重點(diǎn)評(píng)估晶格畸變,、缺陷分布及熱穩(wěn)定性等參數(shù),。檢測(cè)涵蓋半導(dǎo)體,、金屬合金,、陶瓷等材料,,采用X射線衍射,、透射電鏡等手段,,依據(jù)ASTM,、ISO及GB標(biāo)準(zhǔn),,確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性和檢測(cè)結(jié)果的可重復(fù)性。
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。
晶格常數(shù)偏差:測(cè)量實(shí)際晶格參數(shù)與理論值的偏差范圍(±0.01-0.5?)
晶格取向偏差:分析晶體主軸與理想方向的偏離角度(0.01°-5°)
原子位移量:量化單胞內(nèi)原子平移矢量(0.001-0.1nm)
缺陷密度:統(tǒng)計(jì)單位體積內(nèi)位錯(cuò)/空位數(shù)量(103-101?/cm3)
熱穩(wěn)定性:測(cè)定臨界相變溫度(300-1500K)
半導(dǎo)體材料:硅,、砷化鎵、氮化鎵等單晶/多晶材料
金屬合金:鎳基高溫合金,、鈦鋁合金,、形狀記憶合金
陶瓷材料:氧化鋯、碳化硅、壓電陶瓷
高分子復(fù)合材料:液晶聚合物,、共軛高分子薄膜
光學(xué)鍍膜材料:多層介質(zhì)膜,、金屬氧化物薄膜
X射線衍射法:ASTM E112(晶格參數(shù)測(cè)定)、GB/T 13298-2015(金屬顯微組織檢驗(yàn))
透射電子顯微鏡:ISO 24173(電子背散射衍射分析)
拉曼光譜法:ISO 20310(非晶材料結(jié)構(gòu)分析)
中子衍射法:GB/T 36075-2018(殘余應(yīng)力測(cè)試)
同步輻射分析:ASTM E2860(高分辨率晶格成像)
X射線衍射儀:Rigaku SmartLab 9kW,,配備高溫附件(-196°C-1600°C)
場(chǎng)發(fā)射透射電鏡:JEOL JEM-2100F,,點(diǎn)分辨率0.19nm
三維原子探針:CAMECA LEAP 5000XS,質(zhì)量分辨率m/Δm>1500
拉曼光譜系統(tǒng):HORIBA LabRAM HR Evolution,,空間分辨率<1μm
同步輻射工作站:上海光源BL14B1線站,,能量范圍5-20keV
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測(cè)周期:7~15工作日,,可加急,。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案,。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù),。
中析平移晶格檢測(cè) - 由于篇幅有限,,僅展示部分項(xiàng)目,如需咨詢?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,,請(qǐng)咨詢?cè)诰€工程師
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