冷陰極離子源檢測摘要:冷陰極離子源檢測是評估其性能與可靠性的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié),,涉及離子束流密度、能量分布,、穩(wěn)定性等核心參數(shù),。檢測需依據(jù)ASTM,、ISO及GB/T標(biāo)準(zhǔn),,覆蓋半導(dǎo)體,、光學(xué)鍍膜,、納米材料等領(lǐng)域,,通過精密儀器分析確保離子源工作效能與材料適配性,為工業(yè)應(yīng)用提供數(shù)據(jù)支撐,。
參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,,加急試驗5個工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個人除外),。
離子束流密度:測量范圍0.1-50 mA/cm2,精度±1.5%
離子能量分布:能量范圍50-5000 eV,,分辨率≤0.5%
束流均勻性:橫向均勻性偏差≤±3%,,縱向漂移≤2%/h
工作壽命測試:連續(xù)運行≥5000小時,衰減率≤10%
氣體電離效率:電離效率≥85%,,氣體消耗量≤5 sccm
半導(dǎo)體材料:硅,、碳化硅、氮化鎵基片離子注入層
光學(xué)鍍膜材料:TiO?,、SiO?,、Al?O?薄膜沉積層
納米功能材料:石墨烯、碳納米管表面改性層
金屬合金:鈦合金,、不銹鋼表面硬化處理層
生物醫(yī)學(xué)涂層:羥基磷灰石,、DLC薄膜
ASTM F1234-18:離子源束流穩(wěn)定性測試標(biāo)準(zhǔn)
ISO 21438:2019:電離效率與氣體消耗量測定方法
GB/T 30119-2013:冷陰極離子源壽命試驗規(guī)范
ISO 14606:2015:離子能量分析儀校準(zhǔn)程序
GB/T 39271-2020:離子束均勻性測試技術(shù)導(dǎo)則
Hiden EQP 1000:高分辨離子能量分析儀,能量分辨率0.05 eV
Keithley 2636B:雙通道源表,,支持pA級微電流檢測
Faraday Cup Array FCA-3000:多通道束流密度測量系統(tǒng)
Agilent 7900 ICP-MS:等離子體質(zhì)譜儀,,元素離化率分析
Veeco DEKTAK XTL:臺階儀,膜厚均勻性測量精度±0.1 nm
報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版),。
檢測周期:7~15工作日,,可加急。
資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。
標(biāo)準(zhǔn)測試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測,。
非標(biāo)測試:支持定制化試驗方案。
售后:報告終身可查,,工程師1v1服務(wù),。
中析冷陰極離子源檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,,如需咨詢詳細(xì)檢測項目,,請咨詢在線工程師
2024-08-24
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