參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

反向擊穿電壓（V_BR）：測(cè)試范圍50-2000V,，精度±0.5%

漏電流（I_L）：測(cè)量范圍1nA-10mA,，分辨率0.1pA

結(jié)電容（C_j）：檢測(cè)頻率1kHz-1MHz，誤差≤±2%

熱阻（R_θJC）：溫度梯度測(cè)試范圍20-300℃,，精度±0.3℃

表面形貌分析：粗糙度Ra≤0.1μm,，缺陷檢測(cè)精度0.5μm

檢測(cè)范圍

硅基半導(dǎo)體器件（IGBT、MOSFET）

碳化硅（SiC）功率模塊

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管

高頻微波晶體管

光電耦合器件

檢測(cè)方法

ASTM F1234-18：半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)熱阻測(cè)試規(guī)范

ISO 16750-2:2023：道路車輛電氣環(huán)境條件檢測(cè)

GB/T 4023-2015：半導(dǎo)體器件分立器件測(cè)試方法

IEC 60747-9:2019：分立器件標(biāo)準(zhǔn)第9部分

JESD22-A108F：溫度循環(huán)加速壽命試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

檢測(cè)設(shè)備

Keysight B1505A功率器件分析儀：支持3000V/1500A脈沖測(cè)試

Thermo Fisher Talos F200X透射電鏡：0.12nm分辨率結(jié)區(qū)分析

FLIR X8580紅外熱像儀：熱分布成像精度±1℃

Agilent 4294A阻抗分析儀：40Hz-110MHz寬頻電容測(cè)試

Keithley 4200A-SCS參數(shù)分析系統(tǒng)：pA級(jí)微電流測(cè)量

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)