參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

反向擊穿電壓（VBR）：測(cè)量范圍0-3000V0.5%,，擊穿電流閾值設(shè)定1μA-10mA

漏電流（IR）：測(cè)試條件25℃/125℃,，靈敏度0.1nA-10mA

結(jié)電容（Cj）：頻率1MHz2%，偏壓0-30V50mV

熱阻系數(shù)（Rth）：溫控精度0.5℃,，功率加載范圍0.1-100W

表面粗糙度（Ra）：測(cè)量分辨率0.01μm,，掃描面積55mm

檢測(cè)范圍

硅基半導(dǎo)體材料：包括單晶硅、多晶硅及外延片

化合物半導(dǎo)體：砷化鎵（GaAs）,、碳化硅（SiC）,、氮化鎵（GaN）晶圓

功率晶體管：IGBT模塊、MOSFET器件

光電器件：LED芯片,、激光二極管

傳感器元件：壓力傳感器,、溫度傳感器核心部件

檢測(cè)方法

ASTMF42-21《半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試規(guī)程》

IEC60749-27:2020《半導(dǎo)體器件機(jī)械與氣候試驗(yàn)方法》

GB/T4586-2020《半導(dǎo)體器件分立器件規(guī)范》

ISO14647:2015《微電子器件金屬鍍層厚度測(cè)量》

GB/T6571-2021《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第7部分：雙極晶體管》

檢測(cè)設(shè)備

KeysightB1505A功率器件分析儀：支持3000V/1500A高壓大電流測(cè)試

TektronixPA3000功率分析儀：帶寬10MHz0.05%精度

Keithley4200A-SCS參數(shù)分析儀：最小電流分辨率0.1fA

ThermoScientificHXI系列X射線衍射儀：角度重復(fù)性0.0001

BrukerDektakXT表面輪廓儀：垂直分辨率0.01nm

AgilentE4980ALCR表：基本精度0.05%@1MHz

Fluke6105B熱像儀：熱靈敏度≤40mK@30℃

OlympusLEXTOLS5000激光顯微鏡：XY分辨率120nm

MettlerToledoXP26微量天平：重復(fù)性0.0025mg

EspecPL-3KPH環(huán)境試驗(yàn)箱：溫變速率

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)