參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

空位擴(kuò)散系數(shù)測(cè)定（溫度范圍：300-1500K,，誤差≤±5%）

激活能計(jì)算（基于Arrhenius方程,，數(shù)據(jù)擬合精度R2≥0.98）

空位濃度分布分析（空間分辨率≤0.1μm，檢測(cè)限1×101? cm?3）

擴(kuò)散路徑表征（晶界/體擴(kuò)散占比,，SEM-EBSD聯(lián)用）

溫度依賴性測(cè)試（恒溫梯度±1℃,，循環(huán)次數(shù)≥3次）

檢測(cè)范圍

金屬合金：鋁基/鎳基高溫合金晶界擴(kuò)散行為

半導(dǎo)體材料：硅、砷化鎵中空位遷移率測(cè)定

陶瓷材料：氧化鋯/碳化硅燒結(jié)體缺陷擴(kuò)散

高分子復(fù)合材料：界面層空位滲透深度分析

薄膜涂層材料：納米級(jí)TiN/CrAlN涂層擴(kuò)散勢(shì)壘評(píng)估

檢測(cè)方法

ASTM E112-13：晶粒度測(cè)定與擴(kuò)散路徑關(guān)聯(lián)分析

ISO 20137:2017：電化學(xué)阻抗譜法測(cè)定擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)參數(shù)

GB/T 13303-2020：金屬材料擴(kuò)散系數(shù)測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)方法

ASTM F76-08(2020)：半導(dǎo)體材料空位濃度TOF-SIMS檢測(cè)

ISO 18516:2022：表面空位擴(kuò)散XPS深度剖析技術(shù)

檢測(cè)設(shè)備

場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（Hitachi SU5000,，配備EDS/EBSD模塊,，晶界擴(kuò)散路徑成像）

X射線光電子能譜儀（Thermo Scientific K-Alpha+，深度分辨率0.1nm,，空位化學(xué)態(tài)分析）

高溫真空擴(kuò)散爐（CVD Equipment Corp. 型號(hào)VT-1200,，控溫精度±0.5℃,，最大壓力10?? Pa）

二次離子質(zhì)譜儀（ION-TOF SIMS 5，質(zhì)量分辨率m/Δm＞15,000,，三維空位分布重建）

高分辨透射電鏡（JEOL JEM-ARM300F,，原子級(jí)空位團(tuán)簇觀測(cè)，STEM模式點(diǎn)分辨率0.08nm）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)