參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.膜層厚度測(cè)量：分辨率0.1nm級(jí)，測(cè)量范圍1-500nm

2.表面粗糙度分析：Ra值精度0.05nm,，掃描面積1010μm

3.接觸角測(cè)定：測(cè)量誤差≤0.5,，溫度控制0.1℃

4.化學(xué)組成表征：XPS檢測(cè)限0.1at%,，能譜分辨率≤0.5eV

5.機(jī)械性能測(cè)試：納米壓痕載荷范圍0.1-500mN，模量測(cè)量誤差＜5%

檢測(cè)范圍

1.有機(jī)半導(dǎo)體薄膜：包括PEDOT:PSS,、PTAA等導(dǎo)電聚合物薄膜

2.金屬氧化物薄膜：ITO,、AZO等透明導(dǎo)電氧化物涂層

3.自組裝單分子層：硫醇類、硅烷類化合物修飾表面

4.生物分子薄膜：蛋白質(zhì)/DNA固定化功能涂層

5.二維材料薄膜：石墨烯,、MoS?等原子層沉積結(jié)構(gòu)

檢測(cè)方法

ASTME2865-12：橢圓法測(cè)定光學(xué)薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程

ISO14708-3:2017：植入式醫(yī)療器械表面涂層測(cè)試規(guī)范

GB/T33523-2017：微納米薄膜厚度測(cè)量通用技術(shù)條件

ISO18115-2:2021：表面化學(xué)分析術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)（XPS部分）

GB/T3505-2020：產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法

檢測(cè)設(shè)備

J.A.WoollamM-2000V型光譜橢圓儀：寬光譜（190-1700nm）膜厚分析系統(tǒng)

BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡：PeakForceTapping模式表面形貌表征

KrssDSA100E接觸角測(cè)量?jī)x：高溫高壓環(huán)境接觸角分析模塊

ThermoScientificK-AlphaX射線光電子能譜儀：?jiǎn)紊疉lKαX射線源（1486.6eV）

Agilent5500SPM系統(tǒng)：電學(xué)特性與機(jī)械性能聯(lián)用測(cè)試平臺(tái)

HysitronTIPremier納米壓痕儀：動(dòng)態(tài)力學(xué)分析（DMA）功能模塊

RenishawinViaQontor共聚焦拉曼光譜儀：空間分辨率＜300nm的化學(xué)成像系統(tǒng)

VeecoDekTakXTL輪廓儀：12mm量程臺(tái)階高度測(cè)量裝置

MalvernPanalyticalEmpyreanX射線衍射儀：薄膜專用掠入射模式（GIXRD）

ParkSystemsNX20掃描探針顯微鏡：大氣與真空環(huán)境雙模式AFM系統(tǒng)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)