高純銻檢測(cè)摘要:高純銻檢測(cè)是保障半導(dǎo)體,、紅外光學(xué)及特種合金材料性能的核心環(huán)節(jié),。本文系統(tǒng)闡述純度分析、雜質(zhì)元素測(cè)定等關(guān)鍵項(xiàng)目,,涵蓋電子級(jí)銻錠,、銻化鎵晶圓等典型樣品類(lèi)型,,重點(diǎn)解析輝光放電質(zhì)譜法(GDMS)與電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP-MS)的標(biāo)準(zhǔn)化操作流程及設(shè)備選型依據(jù)。
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1. 主成分純度:銻含量≥99.999%(5N級(jí))至99.9999%(6N級(jí))定量分析
2. 痕量金屬雜質(zhì):Fe,、Cu,、Pb、Ni等13種元素≤0.1ppm(ICP-MS法)
3. 非金屬雜質(zhì):氧含量≤50ppm(惰性熔融紅外法),,硫含量≤20ppm(燃燒碘量法)
4. 晶體結(jié)構(gòu)缺陷:X射線衍射半峰寬≤0.02°(XRD法)
5. 表面污染物:顆粒物尺寸≥0.3μm計(jì)數(shù)≤100個(gè)/cm2(激光粒度儀)
1. 電子級(jí)銻錠(半導(dǎo)體摻雜源)
2. 銻化鎵單晶襯底(紅外探測(cè)器基材)
3. 高純銻靶材(磁控濺射鍍膜原料)
4. 銻系阻燃母粒(工程塑料添加劑)
5. 核級(jí)銻鈹合金(中子吸收材料)
1. ASTM E1217-21《輝光放電質(zhì)譜法測(cè)定高純金屬雜質(zhì)》
2. ISO 18114:2021《二次離子質(zhì)譜法表面污染分析》
3. GB/T 4324.28-2020《銻化學(xué)分析方法 痕量元素測(cè)定》
4. GB/T 26012-2019《高純金屬氧含量測(cè)定 脈沖加熱法》
5. ISO 14706:2014《表面硅片表面金屬污染測(cè)定》
1. Thermo Fisher ELEMENT GD Plus:全反射輝光放電質(zhì)譜儀,,檢出限達(dá)0.001ppb
2. Agilent 8900 ICP-QQQ:三重四極桿質(zhì)譜系統(tǒng),,實(shí)現(xiàn)As/Se等干擾元素精準(zhǔn)分離
3. Bruker D8 ADVANCE XRD:配備LYNXEYE XE探測(cè)器,,角度分辨率0.0001°
4. LECO ONH836:脈沖加熱氧氮?dú)浞治鰞x,氧分析精度±0.05ppm
5. PerkinElmer NexION 5000:四極桿電感耦合等離子體質(zhì)譜儀,,質(zhì)量范圍3-300amu
6. Hitachi SU9000 FE-SEM:場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡搭配EDAX能譜儀,,表面形貌與成分聯(lián)測(cè)
7. Malvern Mastersizer 3000:激光粒度分析儀,測(cè)量范圍0.01-3500μm
8. Horiba GD Profiler 2:射頻輝光放電光譜儀,,深度分辨率達(dá)1nm
9. Metrohm 884 Professional IC:離子色譜系統(tǒng),,陰離子檢出限0.05μg/L
10. Keysight 7900 ICP-MS:配備ORS3碰撞反應(yīng)池技術(shù),消除多原子離子干擾
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。
檢測(cè)周期:7~15工作日,,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,,工程師1v1服務(wù),。
中析高純銻檢測(cè) - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,,如需咨詢?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,,請(qǐng)咨詢?cè)诰€工程師
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