參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

1. 晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)：采用X射線衍射法測(cè)定晶格常數(shù)（誤差≤0.01nm）及晶面間距（精度±0.002?）,。

2. 位錯(cuò)密度分析：通過化學(xué)腐蝕法或電子顯微鏡觀測(cè)（分辨率≤1×10?/cm2）。

3. 雜質(zhì)濃度檢測(cè)：二次離子質(zhì)譜法（SIMS）測(cè)量B/P/As等摻雜元素（檢出限≤1×101? atoms/cm3）,。

4. 電阻率均勻性：四探針法測(cè)試徑向電阻率偏差（允許波動(dòng)±5%）,。

5. 氧碳含量測(cè)定：傅里葉紅外光譜法（FTIR）分析氧含量（精度±0.05ppma）、碳含量（精度±0.03ppma）,。

檢測(cè)范圍

1. 半導(dǎo)體單晶材料：硅(Si),、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等直徑≤300mm晶棒

2. 激光晶體：摻釹釔鋁石榴石(Nd:YAG),、鈦寶石(Ti:Al?O?)等光學(xué)級(jí)晶體

3. 高溫合金單晶：鎳基CMSX-4系列渦輪葉片材料

4. 壓電晶體：鈮酸鋰(LiNbO?),、鉭酸鋰(LiTaO?)等聲表面波器件基材

5. 閃爍晶體：碘化鈉(NaI),、鍺酸鉍(BGO)等輻射探測(cè)晶體

檢測(cè)方法

1. ASTM E112-13 晶粒度測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)

2. ISO 14707:2015 輝光放電質(zhì)譜表面分析

3. GB/T 1555-2021 半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)試方法

4. ASTM F723-88(2020) 硅片電阻率四探針測(cè)量規(guī)程

5. GB/T 14144-2022 硅單晶中氧碳含量的紅外吸收測(cè)量

6. ISO 14606:2015 電子背散射衍射(EBSD)晶體取向分析

檢測(cè)設(shè)備

1. PANalytical X'Pert3 MRD X射線衍射儀：配備高分辨率測(cè)角器（精度0.0001°）

2. JEOL JXA-8530F Plus電子探針顯微分析儀：波長色散譜(WDS)元素分析

3. Thermo Scientific Prisma E SEM掃描電鏡：EBSD系統(tǒng)取向成像（空間分辨率10nm）

4. Agilent 5500 AFM原子力顯微鏡：表面粗糙度測(cè)量（垂直分辨率0.1nm）

5. Bruker Vertex 80v FTIR光譜儀：低溫恒溫附件（測(cè)試范圍400-6000cm?1）

6. Keithley 4200A-SCS參數(shù)分析儀：高阻測(cè)量模塊（量程10?~101?Ω）

7. CAMECA IMS 7f-auto SIMS二次離子質(zhì)譜儀：深度分辨率＜3nm

8. Oxford Instruments PlasmaPro 100 GD-MS輝光放電質(zhì)譜儀：檢出限達(dá)ppt級(jí)

9. Leica DM2700M偏光顯微鏡：配備Clemex圖像分析系統(tǒng)（放大倍數(shù)50~1000×）

10. Four Dimensions 4DSP電阻率測(cè)繪系統(tǒng)：四探針自動(dòng)掃描（測(cè)試速度200點(diǎn)/小時(shí)）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)