參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日,，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個人除外),。

檢測項目

1.位錯密度測量：通過腐蝕坑法測定(10-10?cm?)
2.晶格常數(shù)測定：X射線衍射法精度0.0001nm
3.載流子濃度測試：霍爾效應(yīng)儀測量(10-10?cm?)
4.缺陷分布成像：陰極熒光顯微鏡分辨率≤50nm
5.熱應(yīng)力分析：紅外熱像儀測溫范圍-20~1500℃

檢測范圍

1.半導(dǎo)體單晶材料：硅(Si),、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)
2.光學(xué)功能晶體：鈮酸鋰(LiNbO?),、藍寶石(Al?O?)
3.金屬單晶材料：銅(Cu),、鎳基高溫合金
4.超導(dǎo)晶體材料：釔鋇銅氧(YBCO)、二硼化鎂(MgB?)
5.光伏材料：碲化鎘(CdTe),、銅銦鎵硒(CIGS)

檢測方法

1.ASTMF47-2018硅單晶位錯密度測試規(guī)程
2.ISO14707:2015輝光放電質(zhì)譜成分分析
3.GB/T1551-2021硅單晶電阻率測定方法
4.ISO21466:2019X射線形貌術(shù)缺陷表征
5.GB/T35030-2018碳化硅單晶X射線雙晶衍射測試

檢測設(shè)備

1.JEOLJSM-7900F場發(fā)射掃描電鏡：二次電子分辨率0.8nm
2.BrukerD8AdvanceX射線衍射儀：測角儀精度0.0001
3.KeysightB1500A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀：電流分辨率0.1fA
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系統(tǒng)：空間分辨率3nm
5.ThermoScientificHeliosG4UX聚焦離子束：束流穩(wěn)定性0.1%
6.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光譜儀：光譜分辨率0.35cm?
7.KLASurfscanSP7無接觸面型儀：表面粗糙度測量精度0.01
8.Agilent5500原子力顯微鏡：Z軸分辨率0.05nm
9.FEITecnaiG2F20透射電鏡：點分辨率0.19nm
10.VeecoDimensionIcon掃描探針顯微鏡：最大掃描范圍90μm

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案,。

售后：報告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)