單斜晶胞檢測摘要:單斜晶系作為七大晶系之一,其晶胞參數(shù)的精確測定對材料性能分析具有重要意義,。本文系統(tǒng)闡述單斜晶胞檢測的核心項(xiàng)目、適用范圍及標(biāo)準(zhǔn)化方法,,重點(diǎn)涵蓋晶格常數(shù)、晶面間距等關(guān)鍵參數(shù)的測量規(guī)范,,涉及X射線衍射、電子背散射衍射等技術(shù)手段,,為材料表征提供專業(yè)檢測參考,。
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個工作日,。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個人除外)。
晶格常數(shù)測定:a軸(5-15?),、b軸(5-12?),、c軸(5-10?)、β角(90°-120°)
晶面間距分析:(hkl)晶面間距測量(0.5-5.0nm)及相對誤差控制(≤0.1%)
晶體取向測定:取向偏差角(≤2°)及織構(gòu)系數(shù)(0.9-1.1)
熱膨脹系數(shù)檢測:αa/αb/αc軸向系數(shù)(1×10-6-30×10-6 K-1)
晶體缺陷分析:位錯密度(104-108 cm-2),、層錯能(10-200 mJ/m2)
金屬合金:航空發(fā)動機(jī)葉片用鎳基高溫合金,、鈦鋁合金結(jié)構(gòu)件
陶瓷材料:氧化鋯基固體電解質(zhì)、壓電陶瓷元件
半導(dǎo)體材料:碲化鉍熱電材料,、磷化銦襯底
高分子材料:液晶聚合物(LCP)薄膜,、聚醚醚酮(PEEK)注塑件
礦物樣品:單斜輝石族礦物、石膏晶體標(biāo)本
X射線衍射法:ASTM E112-13,、GB/T 13298-2015
電子背散射衍射:ISO 24173:2009,、GB/T 38885-2020
中子衍射分析:ISO 21484:2017
透射電子顯微鏡:ASTM E3060-16、GB/T 27788-2020
同步輻射技術(shù):ISO 18279:2022
X射線衍射儀:Rigaku SmartLab(2θ范圍:3°-160°,,分辨率:0.0001°)
場發(fā)射掃描電鏡:FEI Nova NanoSEM 450(分辨率:1.0nm@15kV)
電子背散射衍射系統(tǒng):Oxford Instruments Symmetry(角分辨率:0.5°)
高溫XRD附件:Anton Paar HTK1200N(溫度范圍:-190°C-1200°C)
熱膨脹儀:Netzsch DIL 402 Expedis(位移分辨率:0.125nm)
報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版),。
檢測周期:7~15工作日,,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。
標(biāo)準(zhǔn)測試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測,。
非標(biāo)測試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報告終身可查,,工程師1v1服務(wù),。
中析單斜晶胞檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,,如需咨詢詳細(xì)檢測項(xiàng)目,,請咨詢在線工程師
2024-08-24
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