參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項(xiàng)目

晶格常數(shù)測定：a軸（5-15?）,、b軸（5-12?）,、c軸（5-10?）、β角（90°-120°）

晶面間距分析：（hkl）晶面間距測量（0.5-5.0nm）及相對誤差控制（≤0.1%）

晶體取向測定：取向偏差角（≤2°）及織構(gòu)系數(shù)（0.9-1.1）

熱膨脹系數(shù)檢測：α_a/α_b/α_c軸向系數(shù)（1×10^-6-30×10^-6 K^-1）

晶體缺陷分析：位錯密度（10⁴-10⁸ cm^-2）,、層錯能（10-200 mJ/m²）

檢測范圍

金屬合金：航空發(fā)動機(jī)葉片用鎳基高溫合金,、鈦鋁合金結(jié)構(gòu)件

陶瓷材料：氧化鋯基固體電解質(zhì)、壓電陶瓷元件

半導(dǎo)體材料：碲化鉍熱電材料,、磷化銦襯底

高分子材料：液晶聚合物（LCP）薄膜,、聚醚醚酮（PEEK）注塑件

礦物樣品：單斜輝石族礦物、石膏晶體標(biāo)本

檢測方法

X射線衍射法：ASTM E112-13,、GB/T 13298-2015

電子背散射衍射：ISO 24173:2009,、GB/T 38885-2020

中子衍射分析：ISO 21484:2017

透射電子顯微鏡：ASTM E3060-16、GB/T 27788-2020

同步輻射技術(shù)：ISO 18279:2022

檢測設(shè)備

X射線衍射儀：Rigaku SmartLab（2θ范圍：3°-160°,，分辨率：0.0001°）

場發(fā)射掃描電鏡：FEI Nova NanoSEM 450（分辨率：1.0nm@15kV）

電子背散射衍射系統(tǒng)：Oxford Instruments Symmetry（角分辨率：0.5°）

高溫XRD附件：Anton Paar HTK1200N（溫度范圍：-190°C-1200°C）

熱膨脹儀：Netzsch DIL 402 Expedis（位移分辨率：0.125nm）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期：7~15工作日,，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測,。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報告終身可查,，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)