參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日,，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外),。

檢測項目

晶體線性生長速率：測量范圍0.1-500μm/h,，精度±0.05μm/h

溫度梯度分布：檢測范圍0.1-50°C/cm，分辨率0.01°C/cm

過飽和度控制值：測定精度±0.1mol/L,，量程0.01-5mol/L

晶面取向偏差角：檢測精度±0.1°,，量程0-90°

缺陷密度分布：檢測下限1×103 defects/cm3，空間分辨率1μm

檢測范圍

半導體材料：硅(Si),、砷化鎵(GaAs),、碳化硅(SiC)單晶

光學晶體：藍寶石(Al?O?)、釔鋁石榴石(YAG),、氟化鈣(CaF?)

金屬單晶：銅(Cu),、鎳(Ni)、鈦(Ti)定向凝固樣品

功能陶瓷晶體：鋯鈦酸鉛(PZT),、鈦酸鋇(BaTiO?)

生物礦物晶體：羥基磷灰石,、方解石、文石

檢測方法

ASTM F1215：熔體法晶體生長實時監(jiān)測規(guī)范

ISO 23145：溶液法晶體生長速率測定標準

GB/T 32123-2015：氣相沉積晶體生長過程檢測方法

ISO 18116：晶體缺陷密度同步輻射檢測規(guī)程

GB 11297.3-2015：激光干涉法測晶體生長速度

檢測設(shè)備

Olympus BX53M工業(yè)顯微鏡：配備DP27相機,，實現(xiàn)5000倍晶體形貌實時觀測

Malvern Mastersizer 3000：激光粒度儀,，檢測溶液體系過飽和度參數(shù)

Netzsch STA 449 F3：同步熱分析儀，測量熔體溫度梯度及結(jié)晶潛熱

Bruker D8 ADVANCE：X射線衍射系統(tǒng)，晶面取向分析精度0.001°

Keyence VHX-7000：超景深三維顯微鏡,，缺陷密度三維重構(gòu)檢測

北京中科光析科學技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測周期：7~15工作日，可加急,。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案,。

售后：報告終身可查,，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)