參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

1. 平均晶粒尺寸：采用截距法測(cè)量（范圍0.1-2000μm）,，符合ASTM E112標(biāo)準(zhǔn)

2. 晶界角度分布：統(tǒng)計(jì)2°-62°取向差角占比（精度±0.5°）

3. 異常晶粒比例：識(shí)別超過(guò)平均尺寸3倍的異常晶粒（檢出限≤0.1%）

4. 晶粒形狀系數(shù)：計(jì)算長(zhǎng)寬比（1:1至10:1）及圓度參數(shù)（0.6-1.0）

5. 晶界析出相分析：EDS能譜成分測(cè)定（元素范圍B-U，精度±0.1wt%）

檢測(cè)范圍

1. 金屬材料：鋁合金（AA6061/7075）,、鈦合金（Ti-6Al-4V）,、高溫合金（Inconel 718）

2. 陶瓷材料：氧化鋁（Al?O?）、氮化硅（Si?N?）,、壓電陶瓷（PZT-5H）

3. 半導(dǎo)體材料：?jiǎn)尉Ч瑁?100>/<111>取向）,、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（4H-SiC）

4. 合金材料：鎂合金（AZ31B）,、銅合金（C11000/C17200）,、形狀記憶合金（Ni-Ti）

5. 高分子材料：聚丙烯球晶（等規(guī)度≥95%）、聚乙烯單晶薄膜（厚度50-200nm）

檢測(cè)方法

1. ASTM E112：金屬平均晶粒度測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)

2. ISO 643：鋼的奧氏體晶粒度測(cè)定法

3. GB/T 6394-2017：金屬平均晶粒度測(cè)定方法

4. ASTM E2627：電子背散射衍射（EBSD）取向分析標(biāo)準(zhǔn)

5. GB/T 4296-2020：鍺單晶晶向X射線衍射測(cè)定法

6. ISO 24173：微束分析電子背散射衍射取向測(cè)量指南

7. ASTM F1811：半導(dǎo)體單晶晶向XRD測(cè)試規(guī)程

檢測(cè)設(shè)備

1. 蔡司Sigma 500場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡：分辨率0.8nm@15kV,，配備牛津X-MaxN 80 EDS

2. 牛津NordlysMax3電子背散射衍射儀：角分辨率0.1°,，采集速度>3000點(diǎn)/秒

3. 布魯克D8 ADVANCE X射線衍射儀：Cu靶Kα輻射（λ=1.5406?），測(cè)角儀精度±0.0001°

4. 島津EPMA-8050G電子探針：波長(zhǎng)分辨率5eV,，元素分析范圍B-U

5. 萊卡DM2700M正置金相顯微鏡：最大放大倍數(shù)1000×,，配備Clemex圖像分析系統(tǒng)

6. FEI Helios G4 UX聚焦離子束系統(tǒng)：束流范圍1pA-65nA，定位精度±1nm

7. 日立HT7800透射電鏡：點(diǎn)分辨率0.24nm,，配備雙傾樣品臺(tái)

8. Keyence VHX-7000數(shù)字顯微鏡：景深合成功能支持三維形貌重建

9. Malvern Mastersizer 3000激光粒度儀：測(cè)量范圍0.01-3500μm

10. Agilent 5500原子力顯微鏡：掃描范圍90μm×90μm,，Z軸分辨率0.1nm

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)