參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

1. 孿晶密度測(cè)定：測(cè)量單位體積內(nèi)孿晶界面數(shù)量（0.5-2.0 μm?2）,，精度±0.05 μm?2

2. 取向偏差角分析：測(cè)定相鄰晶粒間取向差（0.1°-15°），分辨率達(dá)0.02°

3. 晶界分布均勻性：統(tǒng)計(jì)Σ3/Σ9特殊晶界占比（5%-95%）,，誤差≤1.5%

4. 層錯(cuò)能計(jì)算：通過TEM衍射花樣計(jì)算（50-300 mJ/m2）,，重復(fù)性誤差±3%

5. 位錯(cuò)密度評(píng)估：采用Williamson-Hall法測(cè)定（10?-1012 cm?2），靈敏度10? cm?2

檢測(cè)范圍

1. 鎂合金變形構(gòu)件（AZ31B/ZK60等）

2. 鈦基生物醫(yī)用植入體（Ti-6Al-4V/CP-Ti等）

3. ZnO半導(dǎo)體壓電薄膜（厚度50-500 nm）

4. GaN功率器件外延層（2H型六方結(jié)構(gòu)）

5. 鈷基高溫合金渦輪葉片（AMS 5608/5613標(biāo)準(zhǔn)件）

檢測(cè)方法

ASTM E112-13《金相晶粒度測(cè)定》結(jié)合EBSD技術(shù)

ISO 643:2019《鋼的奧氏體晶粒度測(cè)定》擴(kuò)展應(yīng)用

GB/T 13298-2015《金屬顯微組織檢驗(yàn)方法》

ASTM E2627-13《電子背散射衍射標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程》

GB/T 35465-2017《納米材料晶體結(jié)構(gòu)透射電鏡分析》

ISO 24173:2009《電子背散射衍射取向測(cè)量》

GB/T 8362-2018《金屬材料X射線應(yīng)力測(cè)定方法》

檢測(cè)設(shè)備

1. ZEISS Sigma 500場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡：配備Oxford Symmetry EBSD探測(cè)器（分辨率0.5 μm@15 kV）

2. Thermo Fisher Apreo SEM：集成NSIV電子光學(xué)系統(tǒng)（束流穩(wěn)定性≤0.1%/h）

3. Bruker D8 Discover XRD儀：配備VANTEC-500二維探測(cè)器（角度精度±0.0001°）

4. JEOL JEM-2100F場(chǎng)發(fā)射透射電鏡：點(diǎn)分辨率0.19 nm（STEM模式）

5. Oxford Instruments AZtecCrystal：支持HKL Channel 5數(shù)據(jù)采集（采集速率≥300點(diǎn)/s）

6. Shimadzu XRD-7000：配備單色CuKα輻射源（λ=1.54056 ?）

7. Gatan Oriana EBSD系統(tǒng)：支持動(dòng)態(tài)背景校正（信噪比≥100:1）

8. TSL OIM Analysis v8.0：具備HCP晶體對(duì)稱性自動(dòng)識(shí)別功能

9. Malvern Panalytical Empyrean：配置PIXcel3D探測(cè)器（最大輸出功率4 kW）

10. Hitachi HF5000 STEM：配備Cold FEG電子槍（能量分辨率≤0.3 eV）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版),。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告,。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查,，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)