電荷密度差圖檢測摘要:電荷密度差圖檢測是分析材料表面及界面電荷分布特征的關(guān)鍵技術(shù)手段,,主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、催化材料及納米器件的性能評估,。通過高精度電子顯微鏡與光譜聯(lián)用技術(shù),,可定量表征電荷轉(zhuǎn)移量、局域電場強度等核心參數(shù),,為材料設(shè)計與失效分析提供數(shù)據(jù)支持,。
參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日,。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個人除外)。
1. 電荷密度分布:測量精度±0.01 e/?3(電子/立方埃),,空間分辨率≤0.5 nm
2. 界面電荷轉(zhuǎn)移量:靈敏度達10^-3 e/atom(電子/原子)
3. 局域電場強度:量程0.1-10 V/nm,,誤差≤5%
4. 表面功函數(shù)變化:測試范圍3-6 eV(電子伏特),重復(fù)性±0.02 eV
5. 載流子濃度梯度:分辨率10^15-10^20 cm^-3
1. 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)材料(GaN/SiC,、MoS2/WSe2等)
2. 納米復(fù)合催化材料(Pt/CeO2,、Co3O4/g-C3N4等)
3. 二維層狀材料(石墨烯/六方氮化硼,、過渡金屬硫化物等)
4. 金屬氧化物薄膜(TiO2、ZnO,、Al2O3等)
5. 有機-無機雜化鈣鈦礦材料(MAPbI3,、FAPbBr3等)
1. ASTM F1525-22:基于掃描探針顯微鏡的界面電荷定量分析方法
2. ISO 21363:2021:納米顆粒表面電荷分布的X射線光電子能譜測試規(guī)程
3. GB/T 30118-2023:二維材料層間電荷轉(zhuǎn)移量的拉曼光譜測定標(biāo)準(zhǔn)
4. ISO 18118:2022:表面功函數(shù)測量的紫外光電子能譜技術(shù)規(guī)范
5. GB/T 39123-2020:透射電鏡電子全息術(shù)測定局域電場強度方法
1. Bruker Icon AFM:掃描探針顯微鏡系統(tǒng)(接觸模式分辨率0.1 nm)
2. Thermo Scientific K-Alpha+:X射線光電子能譜儀(能量分辨率≤0.5 eV)
3. JEOL JEM-ARM300F:球差校正透射電鏡(空間分辨率0.08 nm)
4. SPECS PHOIBOS 150:紫外光電子能譜儀(功函數(shù)測試重復(fù)性±0.01 eV)
5. Renishaw inVia Qontor:共聚焦拉曼光譜系統(tǒng)(激光波長532/785 nm可調(diào))
6. Park NX-Hivac:超高真空原子力顯微鏡(真空度≤5×10^-10 Torr)
7. Zeiss Merlin Compact:場發(fā)射掃描電鏡(電子束流穩(wěn)定性±0.2%)
8. Keysight 5500LS:低溫強磁場SPM系統(tǒng)(溫度范圍4-400 K)
9. Horiba LabRAM HR Evolution:顯微拉曼光譜儀(光譜分辨率0.35 cm^-1)
10. Oxford Instruments Cypher ES:環(huán)境控制原子力顯微鏡(濕度控制±1% RH)
報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版),。
檢測周期:7~15工作日,,可加急。
資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告,。
標(biāo)準(zhǔn)測試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測,。
非標(biāo)測試:支持定制化試驗方案。
售后:報告終身可查,,工程師1v1服務(wù),。
中析電荷密度差圖檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,,如需咨詢詳細檢測項目,,請咨詢在線工程師
2024-08-24
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