參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外),。

檢測項(xiàng)目

1. 晶體取向偏差：采用電子背散射衍射（EBSD）測定<001>軸向偏離度（標(biāo)準(zhǔn)值≤0.5°）

2. 枝晶結(jié)構(gòu)分析：測量一次枝晶間距（范圍50-500μm）及二次枝晶臂間距（20-200μm）

3. 成分偏析度：通過電子探針（EPMA）測定Al,、Ti、Ta等元素局部濃度波動（允許偏差±1.5wt%）

4. 微孔缺陷檢測：X射線斷層掃描（CT）識別直徑≥10μm的縮孔/疏松缺陷

5. 殘余應(yīng)力分布：同步輻射衍射法測量表面應(yīng)力梯度（控制值≤200MPa/mm）

檢測范圍

1. 鎳基單晶高溫合金：CMSX-4,、DD6等渦輪葉片材料

2. 鈦鋁基單晶合金：Ti-48Al-2Cr-2Nb定向凝固構(gòu)件

3. 半導(dǎo)體單晶硅：Φ300mm以上大直徑晶體

4. 氧化物共晶陶瓷：Al?O?/YAG定向凝固復(fù)合材料

5. 金屬間化合物單晶：Fe-Al,、Ni?Al系耐高溫材料

檢測方法

1. ASTM E112-13：金屬材料平均晶粒度測定方法

2. ISO 17270:2020：單晶渦輪葉片晶體取向測試規(guī)范

3. GB/T 13305-2008：不銹鋼中α-相面積含量測定方法

4. ASTM E1245-03(2016)：自動圖像分析測定夾雜物含量

5. ISO 19675:2017：金屬鑄件X射線數(shù)字成像檢測標(biāo)準(zhǔn)

檢測設(shè)備

1. X射線衍射儀（X'Pert PRO MPD）：晶體取向及殘余應(yīng)力分析

2. 場發(fā)射掃描電鏡（JSM-7900F）：枝晶形貌觀測（分辨率1nm）

3. 電子探針顯微分析儀（EPMA-8050G）：元素面分布測繪（精度±0.01wt%）

4. X射線斷層掃描系統(tǒng)（Phoenix v|tome|x L450）：三維缺陷重建（體素分辨率3μm）

5. 同步輻射光源線站（SSRF BL13W1）：原位應(yīng)力場測量

6. 激光共聚焦顯微鏡（OLS5000）：表面粗糙度Ra≤0.01μm測量

7. 高溫蠕變試驗(yàn)機(jī)（AG-X Plus 100kN）：持久性能測試（最高溫度1200℃）

8. 熱膨脹儀（DIL 402 Expedis Classic）：熱膨脹系數(shù)測定（精度±0.05×10??/K）

9. 電子背散射衍射系統(tǒng)（Oxford Symmetry S2）：晶體取向成像（角分辨率0.1°）

10. 等離子體質(zhì)譜儀（NexION 2000）：痕量元素分析（檢出限0.01ppb）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測,。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)