參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.薄膜厚度：測(cè)量范圍50nm-10μm,，精度1.5%，采用非接觸式光學(xué)干涉法
2.元素成分分析：檢測(cè)III-V族元素（Ga,As,In）比例偏差≤0.5at%
3.結(jié)晶質(zhì)量：XRD半高寬（FWHM）≤200arcsec
4.表面粗糙度：AFM測(cè)試Ra≤0.3nm（55μm掃描區(qū)域）
5.載流子濃度：霍爾效應(yīng)測(cè)試范圍1E15-1E19cm?
6.界面缺陷密度：CV法測(cè)定≤1E11cm?eV?

檢測(cè)范圍

1.III-V族化合物半導(dǎo)體：GaN,、AlGaAs,、InP外延層
2.LED外延片：藍(lán)寶石襯底上的InGaN/GaN多層結(jié)構(gòu)
3.太陽能電池薄膜：CIGS吸收層與緩沖層界面
4.光學(xué)涂層：ZnO/Al?O?抗反射膜堆疊體系
5.二維材料：MoS?/WSe?異質(zhì)結(jié)的層間耦合分析

檢測(cè)方法

1.ASTMF76-08(2016)：半導(dǎo)體薄膜電學(xué)特性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
2.ISO14606:2015：深度剖析的濺射速率校準(zhǔn)規(guī)范
3.GB/T32281-2015：半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng)測(cè)試方法
4.ISO21283:2018：納米薄膜厚度橢偏測(cè)量技術(shù)規(guī)范
5.GB/T35031-2018：金屬有機(jī)氣相沉積設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)
6.ASTME112-13：晶粒尺寸測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法

檢測(cè)設(shè)備

1.X射線衍射儀（PANalyticalX'Pert3MRD）：用于晶體結(jié)構(gòu)分析與應(yīng)變測(cè)量
2.橢圓偏振儀（J.A.WoollamM-2000D）：實(shí)現(xiàn)0.1nm級(jí)薄膜厚度實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)
3.原子力顯微鏡（BrukerDimensionIcon）：表面形貌三維重構(gòu)與粗糙度量化
4.二次離子質(zhì)譜儀（CAMECAIMS7f）：深度分辨率達(dá)1nm的成分剖面分析
5.霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)（LakeShore8404）：磁場(chǎng)強(qiáng)度1T下載流子遷移率測(cè)定
6.光致發(fā)光譜儀（HoribaLabRAMHREvolution）：77K低溫PL光譜缺陷表征
7.掃描電子顯微鏡（HitachiSU5000）：EDS面分布分析元素偏析現(xiàn)象
8.臺(tái)階儀（KLATencorP-7）：10分辨率驗(yàn)證膜層臺(tái)階高度
9.X射線光電子能譜（ThermoScientificK-Alpha+）：化學(xué)態(tài)分析結(jié)合深度刻蝕
10.四探針電阻率測(cè)試儀（LucasLabsS302-4）：薄層電阻測(cè)量精度0.5%

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)