參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日,，加急試驗5個工作日,。

注意：因業(yè)務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人除外),。

檢測項目

1.讀寫速度測試：測量順序讀寫（50-800MB/s）與隨機讀寫（10K-1MIOPS）性能指標

2.數(shù)據(jù)保持時間驗證：在85℃高溫環(huán)境下評估數(shù)據(jù)保留能力（≥10年）

3.耐久性測試：記錄P/E循環(huán)次數(shù)（SLC≥10萬次/TLC≥3千次）直至失效

4.溫度循環(huán)試驗：-40℃至125℃范圍內進行1000次熱沖擊測試

5.電氣參數(shù)分析：工作電壓（1.8V/3.3V5%）,、靜態(tài)電流（≤50μA）、信號完整性（眼圖張開度≥70%）

檢測范圍

1.NAND閃存芯片：包括SLC/MLC/TLC/QLC架構的2D/3D存儲單元

2.DRAM模塊：DDR4/DDR5內存條及LPDDR嵌入式存儲單元

3.SSD控制器芯片：支持NVMe/SATA協(xié)議的存儲主控器件

4.EEPROM存儲器：汽車電子用1Kbit-4Mbit系列產品

5.FRAM存儲模塊：工業(yè)控制用非易失性鐵電存儲器

檢測方法

1.數(shù)據(jù)保持能力測試：依據(jù)JEDECJESD22-A117標準進行高溫加速老化試驗

2.耐久性評估：執(zhí)行JEDECJESD218規(guī)范的溫度-電壓復合應力測試

3.信號完整性分析：采用GB/T26248-2010規(guī)定的眼圖測試方法

4.環(huán)境適應性試驗：參照IEC60068-2-14進行溫度循環(huán)沖擊測試

5.靜電防護檢測：依據(jù)ANSI/ESDA/JEDECJS-001實施HBM模型ESD測試

檢測設備

1.KeysightB1500A半導體分析儀：支持μA級漏電流測量和IV/CV特性分析

2.AdvantestT5503HS測試系統(tǒng)：實現(xiàn)DDR5-6400高速信號完整性驗證

3.ThermoStreamT-2600溫度沖擊試驗箱：提供-65℃~+200℃快速溫變環(huán)境

4.Chroma7123閃存測試機：支持8通道并行編程及壞塊統(tǒng)計分析

5.TektronixDPO73304S示波器：36GHz帶寬用于PCIe4.0信號眼圖捕獲

6.ESPECEHS-211M恒溫恒濕箱：執(zhí)行85℃/85%RH雙85加速老化試驗

7.XcerraSLT-4500系統(tǒng)級測試機：完成SSD端到端數(shù)據(jù)校驗及延遲測量

8.HANWAHED-W5100靜電發(fā)生器：提供30kVHBM/MM/CDM模式ESD測試

9.NIPXIe-4139源測量單元：實現(xiàn)nA級靜態(tài)電流精確監(jiān)測

10.FlukeTi480紅外熱像儀：進行存儲芯片工作溫度分布成像分析

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質版),。

檢測周期：7~15工作日,，可加急。

資質：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質報告,。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測,。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查,，工程師1v1服務,。

中析儀器 資質